[发明专利]忆阻存储器有效
| 申请号： | 201110431432.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103178207A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻存储器，其阻变存储介质层由钨氧化物和氮氧化钛叠加而成。本发明能提高器件的初始电阻和低阻态电阻，能降低器件的最大操作电流和功耗，为忆阻存储器的发展提供更宽阔的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
一种忆阻存储器，其特征在于：忆阻存储器包括一阻变存储介质层，该阻变存储介质层由钨氧化物和氮氧化钛叠加而成。
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