[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110431447.0 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103178000A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一层间介质层、第二层间介质层，以及贯穿上述层间介质层厚度的沟槽；对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理，分别形成第一牺牲层和第二牺牲层，第一牺牲层的宽度大于第二牺牲层宽度；形成第一牺牲层和第二牺牲层后，填充满所述沟槽形成金属线层；形成金属线层后，去除第一牺牲层和第二牺牲层形成开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。相应的，还提供了一种采用上述方法形成的半导体器件，RC效应低，半导体集成电路的性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层表面形成有第二层间介质层，以及贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层厚度的沟槽；对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理，分别形成第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层的宽度大于所述第二牺牲层宽度；形成第一牺牲层和第二牺牲层后，填充满所述沟槽形成金属线层；形成金属线层后，去除所述第一牺牲层和第二牺牲层形成开口，所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口，所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径；形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
