[发明专利]纵向PNP型三极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110431875.3 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103178100A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 胡君;段文婷;刘冬华;钱文生;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纵向PNP型三极管，包括有位于p型硅衬底中的隔离结构，两个隔离结构之间为n型基区；在硅衬底中还具有n型深阱及其上方的p型深阱，两者相接触；在隔离结构的底部具有相互独立的p型赝埋层和n型赝埋层；所述n型基区与n型赝埋层横向连接；第一接触孔电极穿越隔离结构连接p型赝埋层；第二接触孔电极穿越隔离结构连接n型赝埋层。本发明还公开了所述纵向PNP型三极管单独制造的方法，以及与锗硅HBT一起制造的方法。本发明所述的纵向PNP型三极管，可用作锗硅HBT高频电路中的输出器件。其制造方法可以完美地集成在锗硅HBT器件的制造工艺之中，无需额外的步骤、条件即可为电路提供多一种器件选择。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 pnp 三极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纵向PNP型三极管，包括有位于p型硅衬底中的隔离结构，两个隔离结构之间为n型基区；其特征是，在硅衬底中还具有n型深阱及其上方的p型深阱，两者相接触；在隔离结构的底部具有相互独立的p型赝埋层和n型赝埋层；所述n型基区与n型赝埋层横向连接；第一接触孔电极穿越隔离结构连接p型赝埋层；第二接触孔电极穿越隔离结构连接n型赝埋层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110431875.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：螺旋槽柱塞单座控制阀
- 下一篇：用于翻转产品的摆杆滑块式装置
- 同类专利
- 专利分类
