[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110432580.8 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102565508A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 秋山肇;冈田章 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种在不增大芯片面积的情况下就能提高电流检测精度的半导体装置。半导体元件（1）具有发射极电极（7）。引出线（10）与发射极电极（7）电连接并且通过发射极电极（7）的上方向侧面引出。电流传感器（11）具有磁阻元件（12），对流过引出线（10）的电流进行检测。磁阻元件（12）配置在发射极电极（7）上且引出线（10）的下方。磁阻元件（12）的电阻值相对于由电流产生的磁场线性地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件，具有表面电极；引出线，与所述表面电极电连接，通过所述表面电极的上方向侧面引出；以及电流传感器，对在所述引出线中流过的电流进行检测，所述电流传感器具有配置在所述表面电极上且所述引出线的下方的磁阻元件，所述磁阻元件的电阻值相对于由所述电流产生的磁场线性地变化。
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