[发明专利]压力传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110433740.0 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102515090A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种压力传感器及其形成方法，形成压力传感器的方法包括：提供半导体基底，在半导体基底内具有控制电路和互连结构，在半导体基底上形成有底部电极，互连结构将底部电极和控制电路电连接；形成牺牲层，覆盖底部电极；形成顶部电极，覆盖牺牲层的顶面、侧面以及部分半导体基底，顶部电极具有第一开口，第一开口暴露出牺牲层；通过第一开口去除牺牲层，在顶部电极和底部电极之间形成空腔；形成介质层，覆盖半导体基底和顶部电极，介质层具有呈环状的第二开口，第二开口隔离出与底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。本技术方案形成压力传感器的方法与CMOS工艺兼容，形成方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成压力传感器的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底内具有控制电路和互连结构，在所述半导体基底上形成有底部电极，所述互连结构将所述底部电极和控制电路电连接；形成牺牲层，覆盖所述底部电极；形成顶部电极，覆盖所述牺牲层的顶面、侧面以及部分所述半导体基底，所述顶部电极具有第一开口，所述第一开口暴露出所述牺牲层；通过所述第一开口去除所述牺牲层，在所述顶部电极和底部电极之间形成空腔；形成介质层，覆盖所述半导体基底和顶部电极，所述介质层具有呈环状的第二开口，所述第二开口隔离出与所述底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。
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