[发明专利]一种高导热氮化铝厚膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110433984.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103173727A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 高明媛;韩绍娟;许壮志;薛健;张明;杨殿来 | 申请（专利权）人： | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110400 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高导热氮化铝厚膜的制备方法，属于表面涂层制备及应用技术领域。主要解决现有技术不能制备氮化铝厚膜和沉积速度缓慢及难于商品化等技术问题。该方法采用电弧离子镀沉积氮化铝厚膜，膜层氮铝比例一致，所制备的AlN高导热膜膜层厚度可达3～10μm，膜层与基体之间结合力大。所涉及的基体材料可以是不锈钢、铁、铜、铝等金属，也可以是陶瓷、玻璃等无机非金属材料，还可以是环氧树脂、聚酰亚胺等高分子有机聚合物。制备步骤：首先要对基体材料进行表面处理，选择纯铝作为阴极靶材，铝靶材的纯度为99.99％，反应气体采用纯氮气，氮气的纯度为99.999％，通过电离出来的铝离子与氮气反应形成AlN高导热膜。该方法适用于电子测量仪器、计算机设备、测控系统、飞机、精密武器等多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 氮化 铝厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高导热氮化铝厚膜的制备方法，采用电弧离子镀沉积氮化铝厚膜，该膜氮铝比例一致，所制备的AlN高导热膜膜层厚度可达3～10μm，膜层与基体之间结合力大，所涉及的基体材料是不锈钢、铁、铜、铝金属材料，或陶瓷、玻璃，或无机非金属材料，或环氧树脂、聚酰亚胺高分子有机聚合物。
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