[发明专利]使用电荷扰动的概率的闪存中的数据管理有效

专利信息
申请号: 201110435900.5 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN102543212A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 郭定辉
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中,对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施,其中所选操作具有相关联的数值,其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操作的相对强度的估计。干扰强度矩阵可以还包括指示电荷增加或损失的错误的方向。干扰强度矩阵可以由进行自测试的装置确定,其中通过执行所选操作来触发电荷干扰错误,直到出现可检测到的错误。在可替代的实施方式中,通过测试来自同类群体的所选单元来确定干扰强度矩阵。
搜索关键词: 使用 电荷 扰动 概率 闪存 中的 数据管理
【主权项】:
一种操作闪存系统的方法,包括:记录先前在SSD系统上执行的所选电荷干扰操作的运行操作历史;以及通过使用操作历史、每一个所选电荷干扰操作的干扰强度值和每一个所选电荷干扰操作的电荷增加‑损失方向来计算存储单元的电荷净增加或损失的估计。
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