[发明专利]分离栅快闪存储单元制造方法

摘要

本发明提供了一种分离栅快闪存储单元的制造方法，将刻蚀浮栅多晶硅的步骤分成先后两步刻蚀，先对第二凹槽(对应于字线)底部的浮栅多晶硅进行刻蚀，然后在第一凹槽(对应于擦除栅)和第二凹槽侧壁上形成浮栅侧壁氧化层，最后再对第一凹槽底部的浮栅多晶硅进行刻蚀，由于在对第一凹槽底部的浮栅多晶硅进行刻蚀时，第一凹槽侧壁生成有浮栅侧壁氧化层，浮栅侧壁氧化层阻挡了位于该浮栅侧壁氧化层下的浮栅多晶硅的刻蚀，而被阻挡的该部分浮栅多晶硅在刻蚀完成后则形成了凸出顶角。因此，无需另增加牺牲层即可实现浮栅多晶硅的凸出顶角，简化了工艺流程，进而降低了成本。

主权项

一种分离栅快闪存储单元的制造方法，包括，提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶硅、栅间介质层、控制栅多晶硅、控制栅氮化硅层、控制栅氧化硅层、控制栅硬掩膜层；在所述控制栅硬掩膜层上形成图案化的第一光刻胶，并以所述第一光刻胶为掩膜刻蚀所述控制栅硬掩膜层、控制栅氧化硅层、控制栅氮化硅层、控制栅多晶硅、栅间介质层，以露出浮栅多晶硅，形成第一凹槽和第二凹槽，以及所述第一凹槽和第二凹槽之间的控制栅结构；去除所述第一光刻胶，在所述控制栅结构两侧形成控制栅侧壁层；在所述第一凹槽内形成第二光刻胶，以所述第二光刻胶为掩膜对所述第二凹槽底的半导体基底进行离子注入形成漏极后，刻蚀去除所述第二凹槽底的浮栅多晶硅；去除所述第二光刻胶，在所述第二凹槽和第一凹槽侧壁上形成浮栅侧壁层；刻蚀去除所述第一凹槽底的浮栅多晶硅和第二凹槽的部分浮栅氧化层；在所述第一凹槽侧壁及底部沉积形成擦除栅隧穿氧化层；沉积多晶硅，在所述擦除栅隧穿氧化层上形成擦除栅，并在所述第二凹槽内形成字线。