[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110436569.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522415A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华;张克云;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，所述CMOS图像传感器包括光电二极管、将入射光汇聚至光电二极管所在位置处的第一微透镜、位于光电二极管与微透镜之间的金属连接层，所述金属连接层暴露出所述光电二极管的至少部分；所述CMOS图像传感器另包括位于第一微透镜与光电二极管之间的第二微透镜，所述第二微透镜位于所述金属连接层外的区域。本发明通过在第一微透镜与光电二极管之间增设第二微透镜，增强了CMOS图像传感器的光灵敏度，却几乎不需增加制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：光电二极管；适于将入射光汇聚至光电二极管所在位置处的第一微透镜；位于光电二极管与微透镜之间的金属连接层，所述金属连接层暴露出所述光电二极管的至少部分；其特征在于，所述CMOS图像传感器另包括位于第一微透镜与光电二极管之间的第二微透镜，所述第二微透镜位于所述金属连接层外的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
