[发明专利]一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110436883.7 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103177800A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 毛启明;姜来新;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异，具有良好的导电性和透光性，可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透过 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高透过率透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅，或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构，主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌，其中，锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9％～83.5％，锡与锌元素的质量比为45～51∶55～49，薄膜的厚度为5nm～250nm。
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