[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤：在透光衬底上形成栅电极；在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层；在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层；将所述栅电极用作掩模，且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层；通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分，形成有机聚合层；在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜；通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极；以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

主权项

一种半导体装置，包括：在透光衬底上的栅电极层；在所述栅电极层上的包含无机材料的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上并且不与所述栅电极层重叠的区域中的有机聚合层；在所述有机聚合层上的源电极层及漏电极层；以及在所述栅绝缘层、所述源电极层和所述漏电极层上的半导体层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体层。