[发明专利]具有非捕捉型开关晶体管的存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有非捕捉型开关晶体管的存储器装置及其制造方法。该制造方法包含：首先形成一介电材料多层叠层于多个半导体长条上，接着曝露位于开关晶体管区的多层叠层；显影曝露位于开关晶体管区的多层叠层以形成不同于介电电荷捕捉结构的栅极介电结构；而后形成多条字线与选择线；介电电荷捕捉存储单元的三维阵列包含由存储单元排列而成的多个与非门串列所构成的多个叠层；多个开关晶体管被耦接至与非门串列，该多个开关晶体管包含多个栅极介电结构，其中栅极介电结构不同于介电电荷捕捉结构。

主权项

一种存储器装置，包括：一三维存储单元阵列，包含多个介电电荷捕捉结构，该三维存储单元阵列包含由存储单元排列而成的多个与非门串列(NAND strings)所构成的多个叠层；以及多个开关晶体管，被耦接至该多个与非门串列，该多个开关晶体管包含多个栅极介电结构，其中该多个栅极介电结构不同于该多个介电电荷捕捉结构。