[发明专利]一种具有背反射层的电池片及其制备方法无效
申请号: | 201110438900.0 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102522433A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王明聪;蔡蔚;吴婧;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人: | 李高峡 |
地址: | 610200 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有背反射层的电池片,该电池片的硅基底背面设有SiOx反射层、Al金属层、局域铝背场;其中,SiOx反射层直接连接在硅基底背面,Al金属层设置在SiOx反射层的外表面,局域铝背场穿过SiOx反射层将硅基底和Al金属层连接。本发明电池片,可以对波长900~1100nm的长波光产生95%以上极强反射,增强了电池对长波光的吸收,降低了电池背表面的复合,提升了电池效率,有利于晶体硅太阳电池的薄化,同时,其生产工艺简单、易行,利用现有的电池生产线就可以生产,非常适合产业化发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 反射层 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有背反射层的电池片,其特征在于:该电池片的硅基底(1)背面设有SiOx反射层(2)、Al金属层(3)、局域铝背场(4);其中,SiOx反射层(2)直接与硅基底(1)背面相接,Al金属层(3)设置在SiOx反射层(2)的外表面,局域铝背场(4)穿过SiOx反射层(2)将硅基底(1)和Al金属层(3)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的