[发明专利]一种多晶硅太阳电池绒面的制造方法有效
| 申请号： | 201110439056.3 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102509749A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 万珍平;卿剑波 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基太阳电池表面绒面制备方法，采用微细电火花电解复合加工多晶硅表面，在电火花放电制得绒面结构的同时采用电解作为辅助加工方法，以得到均匀的绒面结构。本发明微细电火花电极不但可以高速扫描多晶硅而且增大了扫描范围，明显提高制绒效率。所制得的多晶硅能形成均匀的微纳米尺度的绒面结构，增加对光的吸收，降低反射率，适合于工业化生产。本方法能显著减少化学方法对环境的污染，提高效率，降低绒面反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅太阳电池绒面的制造方法，其特征在于采用微细电火花电解复合加工多晶硅表面，在电火花放电制得绒面结构的同时采用电解作为辅助加工方法，以得到均匀的绒面结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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