[发明专利]一种TiAlSiN-DLC复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110439124.6 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102517543A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王彦峰;李争显;王宝云;杜继红;华云峰;姬寿长 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiAlSiN-DLC复合薄膜，包括附着于金属基体表面的TiAlSiN层，附着于TiAlSiN层上的C掺杂的TiAlSiN层，和附着于C掺杂的TiAlSiN层上的DLC层；所述TiAlSiN层的厚度为0.8μm～2μm，所述C掺杂的TiAlSiN层的厚度为0.3μm～1μm，所述DLC层的厚度为1μm～2.5μm。本发明金属基体与膜层、膜层内部之间成分及微结构的平滑过渡，无明显物理界面，实现了TiAlSiN层与DLC层之间的“无界面”结合，保证了复合薄膜兼具良好的抗高温氧化性能及自润滑耐磨减摩性能，有望大大延长工件在高温、高速干摩擦磨损的复杂工况下的服役寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tialsin dlc 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TiAlSiN‑DLC复合薄膜，其特征在于，包括附着于金属基体(1)表面的TiAlSiN层(2)，附着于TiAlSiN层(2)上的C掺杂的TiAlSiN层(3)，和附着于C掺杂的TiAlSiN层(3)上的DLC层(4)；所述TiAlSiN层(2)的厚度为0.8μm～2μm，所述C掺杂的TiAlSiN层(3)的厚度为0.3μm～1μm，所述DLC层(4)的厚度为1μm～2.5μm。
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