[发明专利]一种制备焊料凸块的方法有效
| 申请号： | 201110439629.2 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102522347A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡坚;王水弟;王谦;浦园园 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 南毅宁;王凤桐 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明针对现有技术中因焊球上表面为球面而导致探针不能与焊球良好接触的缺陷，提供一种能够克服上述缺陷的制备焊料凸块的方法。本发明提供一种制备焊料凸块的方法，该方法包括：提供硅圆片，在该硅圆片上需要制备焊料凸块；在所述硅圆片的形成有焊盘的一侧上形成凸点下金属化层；在具有焊盘的位置处在所述凸点下金属化层上制作焊料；对所述焊料进行回流，并且在回流时采用与所述硅圆片平行的限高器来限制所形成的焊料凸块的高度低于未使用限高器时所形成的焊球的高度以使得回流后所形成的焊料凸块的上表面为平面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 焊料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备焊料凸块的方法，该方法包括：提供硅圆片，在该硅圆片上需要制备焊料凸块；在所述硅圆片的形成有焊盘的一侧上形成凸点下金属化层；在具有焊盘的位置处在所述凸点下金属化层上制作焊料；对所述焊料进行回流，并且在回流时采用与所述硅圆片平行的限高器来限制所形成的焊料凸块的高度低于未使用限高器时所形成的焊球的高度以使得回流后所形成的焊料凸块的上表面为平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
