[发明专利]一种片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法

摘要

一种片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法，将分析纯的可溶性铜盐加入到去离子水中，然后再加入乙二胺四乙酸得溶液A；向溶液A中加入硫代乙酰胺得溶液B；将溶液B倒入烧杯中，然后将活化处理过的玻璃基板垂直放入烧杯中，密封后将其放入干燥箱中沉积，沉积结束后取出基板，用氮气吹干后得硫化铜薄膜。本发明的特点为采用低温化学液相沉积法制备工艺，设备简单，能耗低，所制备的薄膜形貌均匀，结构致密，结晶程度高，缺陷少，所采用的原料易得，成本低，易于大面积制备。

主权项

一种片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法，其特征在于：1)将玻璃基板浸泡在稀盐酸中，使用超声波震荡30min～60min后，用蒸馏水洗涤干净，然后将基板置于浓硫酸、双氧水与去离子水的混合溶液中，静置24‑72h进行活化，取出后用蒸馏水和无水乙醇分别洗涤，再用N2吹干，放置备用；其中浓硫酸、双氧水与去离子水的体积比为1∶1∶1；2)将分析纯的可溶性铜盐加入到去离子水中，制成Cu2+浓度为0.003mol/L‑0.1mol/L的透明溶液，然后再加入乙二胺四乙酸(EDTA)，使得溶液中[Cu2+]∶[EDTA]的摩尔比为5～10∶1，得溶液A；3)向溶液A中加入分析纯的硫代乙酰胺(CH3CSNH2)，使溶液中CH3CSNH2的浓度为0.01mol/L‑1.0mol/L，得溶液B；4)将溶液B倒入烧杯中，然后将之前活化处理过的玻璃基板垂直放入烧杯中，密封后将其放入干燥箱中沉积，沉积温度控制在50‑100℃，沉积时间控制在5‑15h，反应结束后自然冷却到室温；5)取出基板，分别使用去离子水和无水乙醇洗涤，然后用氮气吹干，在40‑100℃下真空干燥得到最终产物片状晶自组装硫化铜薄膜。