[发明专利]一种芯片切割方法有效
| 申请号： | 201110441963.1 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102496602A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 曹晋玲;熊晓果 |
| 地址： | 611731 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片切割方法，包括交替进行若干次横向切割和若干次纵向切割，具体步骤：(一)首次横向切割，间隔N列晶粒切割，所述N为整数且N≥2；首次纵向切割，间隔M列晶粒切割，所述M为整数且M≥1；(二)后续横向切割和/或后续纵向切割，间隔一列或一列以上晶粒对未切割的晶粒切割，直至将每个晶粒分离。通过本发明的切割方法，晶粒合格率可达到100％，有效降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片切割方法，其特征在于，包括交替进行若干次横向切割和若干次纵向切割，具体步骤：(一)首次横向切割，间隔N列晶粒切割，所述N为整数且N≥2；首次纵向切割，间隔M列晶粒切割，所述M为整数且M≥1；(二)后续横向切割和/或后续纵向切割，间隔一列或一列以上晶粒对未切割的晶粒切割，直至将每个晶粒分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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