[发明专利]一种高温肖特基二极管

摘要

本发明提出了一种高温肖特基二极管，其包括n型半导体衬底、P型重掺杂环状区域、合金层、绝缘区域、势垒金属层、聚酰亚胺保护层和阳极金属。本发明的肖特基二极管通过绝缘区域对势垒金属区域和肖特基接触区域进行分割，使得通过肖特基二极管的电流以并联的方式流过器件，从而缓解因大片金属趋附效应而产生的局部电流不均匀造成的恶性电流正反馈现象，从而使得其高温情况下产生的漏电流较之传统的肖特基二级管更小，使用寿命更长，工作性能更稳定可靠。

主权项

一种高温肖特基二极管，其特征在于，包括：n型半导体衬底；P型重掺杂环状区域，所述P型重掺杂环状区域形成在所述n型半导体衬底内；合金层，所述合金层形成在所述P型重掺杂环状区域之内，所述合金层与所述P型重掺杂区域形成欧姆接触，所述合金层与所述n型半导体衬底形成肖特基接触；绝缘区域，所述绝缘区域的数量至少为一个，所述绝缘区域形成在所述肖特基接触区域之上，所述绝缘区域将所述肖特基接触区域分割成至少两部分，所述每一部分肖特基接触区域上具有接触孔；势垒金属层，所述势垒金属层形成在所述肖特基接触区域之上；聚酰亚胺保护层，所述聚酰亚胺保护层形成在所述势垒金属层之上，所述聚酰亚胺保护层具有贯通至所述势垒金属层的通孔；阳极金属，所述阳极金属形成在所述聚酰亚胺保护层之上并通过聚酰亚胺保护层的通孔与所述势垒金属层接触。