[发明专利]一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法

摘要

一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高、能耗高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。

主权项

一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法是按以下步骤完成的：一、清洗：在频率为20KHz～35KHz的条件下依次采用丙酮、酒精和去离子水清洗单晶硅片衬底，清洗时间分别为15min～30min、15min～30min和15min～30min，即得到干净的单晶硅片衬底；二、保温处理：将步骤一得到干净的单晶硅片衬底置于磁控溅射镀膜系统内的加热台上，并将挡板推至靶的前方，然后启动真空获得系统将真空仓内抽成真空，至真空度为1.0×10‑4Pa～9.9×10‑4Pa，最后启动加热装置，将真空仓内温度调节至25℃～650℃，并保温10min～120min；三、溅射镀膜：首先将碳靶上的溅射功率调节为60W～200W、锗靶上的溅射功率调节为60W～200W、气体流量调节为10sccm～100sccm，然后进行启辉，并预溅射3min～5min，预溅射结束后将真空仓内的压强升至0.1Pa～2Pa，并将占空比调节为10％～90％，移开挡板后在碳靶上的溅射功率为60W～200W、锗靶上的溅射功率为60W～200W和气体流量为10sccm～100sccm的条件下对单晶硅片衬底表面进行溅射镀膜，溅射时间为1min～10min，关闭所有电源并随真空仓内温度降至室温，即得到GeC原料；四：灼烧：将步骤三得到的GeC原料在温度为900℃～1100℃的氩气气体保护下灼烧1h～2h，即得到石墨烯。