[发明专利]半导体存储器件的刷新控制电路和方法有效
| 申请号： | 201110443611.X | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102655022A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 沈荣辅 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件的刷新控制电路和方法。所述刷新控制电路包括：刷新控制器，所述刷新控制器被配置成响应于指示刷新模式的开始的刷新模式进入信号和具有刷新模式信息的模式确定信号，来控制刷新信号在一个刷新周期期间被使能的次数；刷新计数器，所述刷新计数器被配置成响应于在激活模式下被使能的激活信号，通过对所述刷新信号进行计数，来输出用于刷新操作的行地址；以及行地址译码器，所述行地址译码器被配置成将所述行地址译码以产生用于对单元阵列内的字线进行顺序访问的行地址选择信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 刷新 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的刷新控制电路，包括：刷新控制器，所述刷新控制器被配置成响应于指示刷新模式的开始的刷新模式进入信号和具有刷新模式信息的模式确定信号，来控制刷新信号在一个刷新周期期间被使能的次数；刷新计数器，所述刷新计数器被配置成通过响应于在激活模式下被使能的激活信号对所述刷新信号进行计数，来输出用于刷新操作的行地址；以及行地址译码器，所述行地址译码器被配置成将所述行地址译码以产生用于对单元阵列内的字线进行顺序访问的行地址选择信号。
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