[发明专利]使用温度可控的限制环的刻蚀装置有效
| 申请号： | 201110443713.1 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103177954A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置，所述限制环包括：限制部件，为圆环形，用于限制刻蚀气体流动范围；控温部件，用于控制刻蚀气体的温度，所述控温部件位于所述限制部件的外周。所述控温部件包括用于加热的加热管和用于冷却的冷却管。在刻蚀过程中，通过调节限制环的温度，提高晶圆表面的刻蚀均匀性，从而提高了半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 温度 可控 限制 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置，所述限制环包括：限制部件，为圆环形，用于限制刻蚀气体流动范围；控温部件，用于控制刻蚀气体的温度，所述控温部件位于所述限制部件的外周。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
