[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110443804.5 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102522342A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 杨俊洋 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一晶粒、一接着金属层、一电路层、一介电层及数个外部连接元件。该晶粒具有数个接垫及一钝化层，其中该钝化层具有数个钝化层开口以显露这些接垫。该接着金属层位于这些钝化层开口内的这些接垫上。该电路层连接至该接着金属层。该介电层具有数个介电层开口以显露部分该电路层。这些外部连接元件位于这些介电层开口内。藉此，该半导体结构的构造较简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：(a)提供一晶圆，该晶圆具有数个接垫及一钝化层，其中该钝化层具有数个钝化层开口以显露所述接垫；(b)形成一接着金属层于所述钝化层开口内的所述接垫上；(c)印刷一电路层，其中该电路层连接至该接着金属层；(d)形成一介电层于该电路层上，其中该介电层具有数个介电层开口以显露部分该电路层；(e)形成数个外部连接元件于所述介电层开口内；及(f)切割该晶圆以形成数个半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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