[发明专利]一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110444924.7 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102557473A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 谈国强;程蒙 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法,(1)将ITO/glass基片为基底,清洗干净后用氮气吹干后,置于紫外光照射仪中照射20min;(2)将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别溶于乙二醇甲醚和冰醋酸中,溶解后混合形成前驱液,磁力搅拌,得到稳定的BiFeO3前驱体;(3)在基片表面用前驱体进行匀胶处理,匀胶结束后,干燥,重复匀胶处理几次得到设定薄膜厚度,最后快速升温到350℃预退火5min,然后在500℃退火30~120min。由本发明方法制备出的铁酸铋薄膜,其内部缺陷较少,且催化性能较高。
搜索关键词: 一种 csd 法制 多孔 状铁酸铋 薄膜 方法
【主权项】:
一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:选用ITO/glass基片为基底,将切割好的ITO/glass基片清洗干净后,用氮气吹干;步骤2:将洁净的ITO/glass基片置于紫外光照射仪中照射20min,使基片表面达到“原子清洁度”;步骤3:将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别溶于乙二醇甲醚和冰醋酸中,溶解后混合形成前驱液,调节前驱液中Bi、Fe离子浓度为0.01~1.0mol/L,磁力搅拌,得到稳定的BiFeO3前驱体;步骤4:在步骤2处理后的基片表面用步骤3得到的前驱体进行匀胶处理,匀胶结束后,干燥,重复匀胶处理几次得到设定薄膜厚度,最后快速升温到350℃预退火5min,然后在500℃退火30~120min。
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