[发明专利]微加热装置有效
| 申请号： | 201110446438.9 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103187397A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;张莉菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微加热装置，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的待检测器件，位于所述半导体衬底表面的层间介质层；位于所述半导体衬底和层间介质层内的导热沟槽，所述导热沟槽围绕所述待检测器件设置；位于所述层间介质层内的加热结构，所述加热结构与导热沟槽相连接，所述加热结构产生热量且将热量传导到导热沟槽中，利用所述导热沟槽为待检测器件加热。由于所述导热沟槽围绕所述待检测器件设置，使得所述待检测器件受热均匀，且通过改变所述加热结构产生的热量，控制导热沟槽产生的热量，从而控制待检测器件的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种微加热装置，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的待检测器件，位于所述半导体衬底表面的层间介质层；位于所述半导体衬底和层间介质层内的导热沟槽，所述导热沟槽围绕所述待检测器件设置；位于所述层间介质层内的加热结构，所述加热结构与导热沟槽相连接，所述加热结构产生热量且将热量传导到导热沟槽中，利用所述导热沟槽为待检测器件加热。
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