[发明专利]用于形成氮化物膜的方法

摘要

公开了一种用于形成氮化物膜的方法。其中公开了使用垂直炉的等离子体辅助ALD方法，并且通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行该方法。该循环包括引入包含待被氮化的源的源气体、吸收、吹扫、引入氮化气体并且氮化该源，并且随后吹扫。相对于引入源气体期间的第一运载气体的流量，减少引入氮化气体期间的第二运载气体的流量。特别地，作为氮化气体的NH3气体与作为第二运载气体的N2气体的流量比为50∶3或更低。

主权项

一种用于通过使用分批式垂直炉的ALD工艺形成氮化物膜的方法，其中所述分批式垂直炉包括：舟，所述舟被配置为允许半导体晶片以多级的方式放置在反应容器内；等离子体空间，所述等离子体空间位于沿所述反应容器的侧表面放置的RF电极之间；以及供应口，所述供应口被配置为将气体从所述等离子体空间大致均匀地供应到所述反应容器内的每一级中的所述半导体晶片上，其中通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行所述方法，所述循环包括：‑将包含待被氮化的源的源气体以及第一运载气体供应到每一级中的所述半导体晶片上，使得所述源被吸收到所述半导体晶片的表面上；‑吹扫所述源气体的未被吸收的部分；‑从所述等离子体空间的底部到顶部引入氮化气体以及第二运载气体，从而生成基团，并且随后将包含生成的基团的气体供应到每一级中的所述半导体晶片上，以氮化所述吸收的源；并且‑吹扫所述氮化气体；其中与所述氮化气体一起供应的所述第二运载气体的量少于与所述源气体一起供应的所述第一运载气体的量。