[发明专利]一种用于平面型功率MOSFET的外延制作方法

摘要

本发明公开了一种用于平面型功率MOSFET的外延制作方法，包括：制作高掺杂浓度衬底；在所述衬底的基础上生长外延缓冲层；在所述外延缓冲层的基础上继续生长外延漂移层；在所述外延漂移层的基础上继续生长外延低阻层。本发明利用三层外延减小外延漂移层电阻Rdrift和JFET电阻RJFET，从而减小了器件导通电阻，提高了器件性能。

主权项

一种用于平面型功率MOSFET的外延制作方法，设定厚度为W且掺杂浓度为N的单层外延，W和N均为设定的固定值，其特征在于，所述外延制作方法包括下列步骤：步骤1，制作高掺杂浓度衬底；步骤2，在所述衬底的基础上，利用化学气相淀积方法，生长厚度W1且掺杂浓度N1的外延缓冲层，其中，厚度W1为单层外延厚度W的10％到30％，掺杂浓度N1是单层外延掺杂浓度N的3倍到10倍；步骤3，在所述外延缓冲层的基础上，利用化学气相淀积方法，继续生长厚度W2且掺杂浓度N2的外延漂移层，其中，厚度W2位于外延缓冲层厚度W1和单层外延厚度W之间，掺杂浓度N2与单层外延掺杂浓度N相同；步骤4，在所述外延漂移层的基础上，利用化学气相淀积方法，继续生长厚度W3且掺杂浓度N3的外延低阻层，其中，厚度W3为单层外延厚度W的1％到10％，掺杂浓度N3是单层外延掺杂浓度N的5倍到10倍。