[发明专利]半导体器件、半导体存储器件及其操作方法无效
| 申请号： | 201110447057.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543941A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金中植;李东奕;李镐哲;柳长佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L25/065;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了用于在多个半导体层之间稳定地传送信号的采用了堆叠结构的半导体器件、存储器件、系统和方法。所述器件包括至少第一半导体芯片和至少一个贯通衬底通路，该第一半导体芯片包括第一温度传感器电路，该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体封装的半导体器件，该半导体器件包括：至少第一半导体芯片，其包括第一温度传感器电路，该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息；第一凸起，其电连接到第一温度传感器电路而不电连接到贯通衬底通路；以及第二凸起，其电连接到第一半导体芯片的贯通衬底通路。
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