[发明专利]一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110447762.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102492985A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/20;C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mbe 同质 外延 生长 srtio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。
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