[发明专利]基座、化学气相沉积设备和基板加热方法无效
| 申请号： | 201110448650.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102534562A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李焘英;林珍永;韩尚宪;金起成;金荣善;金晟泰 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 化学 沉积 设备 加热 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学气相沉积设备的基座，所述基座包括：基座本体，具有与基座本体的下表面相对的上表面并且由透光材料形成，所述基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；以及吸光单元，在所述基座本体的上表面上由吸光材料形成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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