[发明专利]热处理装置无效
申请号: | 201110448709.4 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102569131A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 泽田郁夫;保坂重敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B6/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供热处理装置。在利用感应加热对基板进行热处理的热处理装置中,提高基板的温度均匀性并提高效率。用于对多张基板(S)实施热处理的热处理装置(1)包括:处理容器(22),其由电介体构成,用于收容被实施热处理的多张基板;基板保持构件(24),其以在上下方向上排列的状态保持多张基板并相对于处理容器内插入或退出;感应加热线圈(104),其卷绕在处理容器的外周;高频电源(110),其用于对感应加热线圈施加高频电;感应发热体(N),其具有螺旋状部,以分别与多张基板重叠的方式设在处理容器内,因感应电流在该感应发热体中流动而发热,该感应电流是由于对感应加热线圈施加高频电而产生的。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
一种热处理装置,其是用于对多张基板实施热处理的热处理装置,其特征在于,该热处理装置包括:处理容器,其用于收容被实施热处理的多张基板;基板保持构件,其对多张基板以在上下方向上排列的状态进行保持并相对于上述处理容器内插入或退出;感应加热线圈,其用于通过在上述处理容器内形成感应磁场而进行感应加热;高频电源,其用于对上述感应加热线圈施加高频电;感应发热体,其具有螺旋状部,以与上述多张基板分别重叠的方式设在上述处理容器内,并因感应电流在该感应发热体中流动而发热,该感应电流是由于对上述感应加热线圈施加上述高频电而产生的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造