[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置有效
| 申请号： | 201110448722.X | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569030A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 池内俊之;周保华;山本和弥;世良贤太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/52;C23C16/40;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成方法，其特征在于，该薄膜形成方法包括：装载工序，将被处理体收容到被加热到装载温度的反应室内；薄膜形成工序，将在上述装载工序中收容了被处理体的反应室内加热到成膜温度之后，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜；在上述装载工序中，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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