[发明专利]一种噪声电流补偿电路有效

专利信息
申请号: 201110449322.0 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102496384A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 柏娜;朱贾峰;李瑞兴;周红刚;彭春雨 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种噪声电流补偿电路,该电路设有两个输入输出端,两个互补的控制信号CON和CONF,控制信号用于控制该补偿电路的工作模式(工作状态和初始状态)。该电路主要由7个PMOS管和8个NMOS管所组成。该噪声电流补偿电路在正常工作状态下通过检测原电路中两根信号线上的电位变化率的变化情况,自动让原电路中放电较慢的一端信号放电更慢,让原电路中放电较快的一端信号放电更快,从而消除噪声电流对原电路的影响,为后续电路信号的正确识别提供帮助。所提出的噪声电流补偿电路可以用于SRAM的位线漏电流补偿上,因为SRAM位线上较大漏电流的存在会导致位线两端电位差的减小而造成后续电路无法正确识别信号。
搜索关键词: 一种 噪声 电流 补偿 电路
【主权项】:
一种噪声电流补偿电路,其特征在于:包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7和第八NMOS管N8,其中:第一PMOS管P1的源端连电源电压VDD,其漏端与第二输入输出端B相连,其栅端与第二PMOS管P2的漏端相连;所述第二PMOS管P2的源端与电源电压VDD相连,第二PMOS管P2的栅端与第三NMOS管N3的栅端相连并与控制信号CON相连;所述第三NMOS管N3的源端与第三PMOS管P3的源端相连并与第二PMOS管P2的漏端相连,第三NMOS管N3的漏端与第三PMOS管P3的漏端相连;所述第三PMOS管P3的栅端与控制信号CON的互补信号CONF相连;所述第四PMOS管P4的漏端和第四NMOS管N4的漏端相连并与第三PMOS管P3的漏端相连;第四PMOS管P4的源端与电源电压VDD相连,第四PMOS管P4的栅端与第五PMOS管P5的栅端相连并与第七PMOS管P7的栅端相连;所述第五PMOS管P5的栅端与其漏端相连并与第五NMOS管N5的漏端相连,第五PMOS管P5的源端与电源电压VDD相连;第四NMOS管N4的栅端与第七NMOS管N7的栅端相连并直接与第二输入输出端B相连,第五NMOS管N5的栅端直接与第二输入输出端A相连,第四NMOS管N4的源端与第五NMOS管N5的源端相连并与第八NMOS管N8的漏端相连;第七PMOS管P7的源端直接与电源电压VDD相连,第七PMOS管P7的漏端与第七NMOS管N7的漏端相连,第七NMOS管N7的源端也与第八NMOS管N8的漏端相连;第八NMOS管N8的栅端与控制信号CON相连,其源端与电源地VSS直接相连;第六PMOS管P6的源端与第六NMOS管N6的源端相连并与第七NMOS管N7的漏端相连,第六PMOS管P6的漏端与第六NMOS管N6的漏端相连并与第一NMOS管N1的栅端相连;所述第六PMOS管P6的栅端与控制信号CONF直接相连,第六NMOS管N6的栅端与控制信号CON直接相连;第二NMOS管N2的栅端也与控制信号CONF直接相连,第二NMOS管N2的源端直接与电源地VSS相连,其漏端与NMOS管N1的栅端相连;所述第一NMOS管N1的源端与电源地VSS直接相连,其漏端则与第二输入输出端B直接相连;此外,第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6和第七PMOS管P7的体端均与电源电压VDD相连;第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7和第八NMOS管N8的体端均与电源地VSS相连。
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