[发明专利]一种新型聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110449482.5 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102555375A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李姜;郭少云;喻琴 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: B32B27/06 分类号: B32B27/06;B32B27/18;B29B9/06;B29C47/06;B29L7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种新型聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材及其制备方法。该电磁屏蔽材料由绝缘层和导电层交替层状排列而成,绝缘层为高分子树脂,导电层为二维导电物质填充高分子树脂,绝缘层和导电层具有较大的电阻率比。材料中存在大量的层状界面,而且二维片状导电物质取向且呈平行排列。其制备方法,将绝缘层和导电层物料分别投入微层共挤装置的两台挤出机中熔融塑化,两股熔体在汇合器处叠合成两层,经过n个层倍增器的切割和叠合后,得到2(n+1)层的电磁屏蔽材料。本发明的电磁屏蔽材料的层数和导电层与绝缘层的层厚比分别由层倍增器个数和挤出机转速比决定,结构和性能具有可设计性,与传统方法制备的电磁屏蔽材料相比,具有高电磁屏蔽效果和高断裂伸长率。本发明所涉及的设备简单易得,所需原料均为市售,无须合成其他化学物,操作简单,生产成本低,效率高。
搜索关键词: 一种 新型 聚合物 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材,其特征在于:(1)该材料由导电层A和绝缘层B以交替层状的结构叠合而成;(2)材料中存在至少一层连续的层状界面;(3)导电层A和绝缘层B的高分子基体均为高分子树脂C;(4)导电层A添加了二维片状导电物质D,绝缘层B不添加填料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110449482.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top