[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110451784.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102651385A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一;吉川俊英;多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/778;H01L21/265;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体叠层结构，和其中至少在所述化合物半导体叠层结构的缓冲层处局部地形成有其电阻值高于所述缓冲层的其它部分的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110451784.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型热水器
- 下一篇：太阳能水循环供热装置
- 同类专利
- 专利分类
