[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110452027.0 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593183A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 舒芳安;王裕霖;叶佳俊;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法，其中薄膜晶体管结构包括基板、栅极层、栅极绝缘层、源极和漏极以及透明材料层。其中栅极层形成于基板上；栅极绝缘层形成于栅极层上；源极和漏极形成于栅极绝缘层上；透明材料层具有通道区以及绝缘区，其中通道区位于源极和漏极之间的栅极绝缘层上，绝缘区覆盖于通道区、源极和漏极上。本发明薄膜晶体管结构及其制造方法可改善薄膜晶体管结构元件效能并降低制程成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其特征是，其包括：基板；栅极层，形成于该基板上；栅极绝缘层，形成于该栅极层上；源极和漏极，形成于该栅极绝缘层上；以及透明材料层，具有通道区以及绝缘区，其中该通道区位于该源极和该漏极之间的该栅极绝缘层上，该绝缘区覆盖于该通道区、该源极和该漏极上。
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