[发明专利]一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法有效
| 申请号： | 201110452091.9 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103182750A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李超;林泉;郑安生;龙彪 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，包括：(1)使用X射线衍射定向仪对晶体进行定向，定出<100>晶面；(2)使用内圆切片机切取<100>方向小面，将晶体固定在卡具上，调整晶体与刀片成45°夹角，开启切片机切取<100>面，作为固定割边基准面；(3)在晶体表面用丁字尺测绘出与<100>方向小面成90°夹角的<110>面，并用记号笔标记基准线；(4)将晶体固定于金刚石带锯割边机的卡具上，打开激光对刀功能，调整模拟割边路径，使激光对准基准线，启动带锯条调节进给速度，完成割边；(5)割边结束后，观察表面是否平整光滑进行细磨修正。该方法可以有效的保证晶体与石墨件连接处的平整度，提高切片晶向的准确性，同时在加工效率上比较手工磨平有大幅度的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓单晶线 切割 基准面 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)单晶定向：使用X射线衍射定向仪对晶体进行定向，定出<100>晶面；(2)切取割边机水平方向的基准面：使用内圆切片机切取<100>方向小面，将晶体固定在内圆切片机的卡具上，调整晶体与刀片成45°夹角，开启切片机切取<100>面，作为固定割边基准面；(3)测绘<110>切割面：在晶体表面用丁字尺测绘出与<100>方向小面成90°夹角的<110>面，并用记号笔标记基准线；(4)割边：将晶体固定于金刚石带锯割边机的卡具上，打开激光对刀功能，调整模拟割边路径，使激光对准基准线，启动带锯条调节进给速度，完成割边；(5)表面研磨：割边结束后，观察表面是否平整光滑进行细磨修正。
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