[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110452379.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102651393A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H02M5/10;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：其中形成有第一凹陷和第二凹陷的堆叠化合物半导体结构；通过栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成的栅电极；和形成在所述第二凹陷中并且与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极。
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