[发明专利]具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管

摘要

本发明公开了一种具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，包含：一半导体基底包含一有源区域，一第一绝缘区和一第二绝缘区同时设置在半导体基底中，并且有源区域位在第一绝缘区和第二绝缘区之间，一栅极结构设置在半导体基底中，其中栅极结构包含：一上部分设置在有源区域中及一下部分包含一前方鳍、至少一中间鳍和一后方鳍，前方鳍设置在第一絶缘区，中间鳍设置在有源区域中，后方鳍设置在第二絶缘区，前方鳍和后方鳍都是椭圆柱形，一源极掺杂区设置在有源区域中并且位在栅极结构的一侧以及一漏极掺杂区设置在有源区域中并且位在栅极结构的另一侧。

主权项

具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，包含：半导体基底，包含一有源区域；第一絶缘区和第二絶缘区同时设置在所述半导体基底中，所述有源区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间；栅极结构设置在所述半导体基底中，其中栅极结构包含：上部分，设置在所述有源区域中；以及下部分，包含前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍设置在所述第一絶缘区，中间鳍设置在所述有源区域，后方鳍设置在所述第二絶缘区，其中，前方鳍和后方鳍都是椭圆柱形；源极掺杂区，设置在所述有源区域中并且位在所述栅极结构的一侧；以及一漏极掺杂区，设置在所述有源区域中并且位有源所述栅极结构的另一侧。