[发明专利]降低微负载效应的方法无效
| 申请号： | 201110452526.X | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102810470A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用光刻层降低微负载效应的方法，本发明的方法包含下面的步骤：首先，提供一基底，其中基底划分为一高密度区和一低密度区，形成一高密度图案于高密度区内并且形成一低密度图案于低密度区内，然后形成一光阻层覆盖低密度区，最后以高密度图案与低密度图案为掩膜，蚀刻基底与光刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 负载 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种降低微负载效应的方法，其特征在于，包含：提供一基底，其中所述基底划分为一高密度区和一低密度区；形成一高密度图案在所述高密度区内并且形成一低密度图案在所述低密度区内；形成一光刻层覆盖所述低密度区；以及以所述高密度图案与所述低密度图案为屏蔽，蚀刻所述基底与所述光刻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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