[发明专利]具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法无效
| 申请号： | 201110452944.9 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102522501A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 高滨;康晋锋;刘力锋;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有第一隔离层，在所述第一隔离层上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的金属层和第二隔离层，所述纳米柱的材料为金属。本发明通过按照一定的结构设置，实现了在不增加工艺复杂度的情况下，提供了一种适合于三维集成的阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交叉 阵列 结构 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有交叉阵列结构的阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有第一隔离层，在所述第一隔离层上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的金属层和第二隔离层，所述纳米柱的材料为金属。
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