[发明专利]增益自校正电路及带有该增益自校正电路的光纤跨阻放大器有效

专利信息
申请号: 201110453362.2 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102497169A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 李景虎;张兴宝 申请(专利权)人: 李景虎
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20;H03F3/08
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张果瑞
地址: 264209 山东省威*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 增益自校正电路及带有该增益自校正电路的光纤跨阻放大器,属于光通信集成电路设计领域,本发明为解决传统跨阻放大器因阈值电压的变化影响其跨阻增益的问题。本发明所述增益自校正电路对跨阻放大器的增益进行检测,根据检测结果调整形成跨阻增益的工作在线性区的MOS晶体管的栅极电压,令其栅源电压随着阈值电压变化而变化,达到降低晶体管导通电阻随加工工艺阈值电压变化的目的。带有上述增益自校正电路的光纤跨阻放大器,它包括单端放大器A和第一晶体管M1,它还包括第二晶体管M2和增益自校正电路,第二晶体管M2并联在单端放大器A的输入端与输出端之间,第二晶体管M2的栅极电压由增益自校正电路输出的增益校正电压VS控制。
搜索关键词: 增益 校正 电路 带有 光纤 放大器
【主权项】:
增益自校正电路,其特征在于,所述增益自校正电路包括第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、第三PMOS晶体管(MP3)、误差放大器(AE)、复制放大器(AD)、NMOS晶体管(MN1)、参考电流源(IREF)、复制电阻(RF_D)、参考电阻(RFEF)、滤波电阻(RFILT)和滤波电容(CFILT);第一PMOS晶体管(MP1)的源极、第二PMOS晶体管(MP2)的源极和第三PMOS晶体管(MP3)的源极都连接电源VDD!;第一PMOS晶体管(MP1)的栅极、第二PMOS晶体管(MP2)的栅极和第三PMOS晶体管(MP3)的栅极连接在一起,且都与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接;第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接参考电流源(IREF)的正端,参考电流源(IREF)的负端连接地线GND!;第二PMOS晶体管(MP2)的漏极同时连接误差放大器(AE)的反相输入端和参考电阻(RFEF)的一端;参考电阻(RFEF)的另一端连接复制放大器(AD)的输出端;第三PMOS晶体管(MP3)的漏极同时连接误差放大器(AE)的同相输入端和NMOS晶体管(MN1)的漏极,NMOS晶体管(MN1)的栅极连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,NMOS晶体管(MN1)的源极连接复制放大器(AD)的输出端;误差放大器(AE)的输出端连接滤波电阻(RFILT)的一端,滤波电阻(RFILT)的另一端连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,滤波电阻(RFILT)的另一端还与滤波电容(CFILT)的一端相连,滤波电容(CFILT)的另一端接地线GND!;复制放大器(AD)的输入端和输出端之间并联复制电阻(RF_D)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李景虎,未经李景虎许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110453362.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top