[发明专利]增益自校正电路及带有该增益自校正电路的光纤跨阻放大器有效
申请号: | 201110453362.2 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102497169A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 李景虎;张兴宝 | 申请(专利权)人: | 李景虎 |
主分类号: | H03G3/20 | 分类号: | H03G3/20;H03F3/08 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张果瑞 |
地址: | 264209 山东省威*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 增益自校正电路及带有该增益自校正电路的光纤跨阻放大器,属于光通信集成电路设计领域,本发明为解决传统跨阻放大器因阈值电压的变化影响其跨阻增益的问题。本发明所述增益自校正电路对跨阻放大器的增益进行检测,根据检测结果调整形成跨阻增益的工作在线性区的MOS晶体管的栅极电压,令其栅源电压随着阈值电压变化而变化,达到降低晶体管导通电阻随加工工艺阈值电压变化的目的。带有上述增益自校正电路的光纤跨阻放大器,它包括单端放大器A和第一晶体管M1,它还包括第二晶体管M2和增益自校正电路,第二晶体管M2并联在单端放大器A的输入端与输出端之间,第二晶体管M2的栅极电压由增益自校正电路输出的增益校正电压VS控制。 | ||
搜索关键词: | 增益 校正 电路 带有 光纤 放大器 | ||
【主权项】:
增益自校正电路,其特征在于,所述增益自校正电路包括第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、第三PMOS晶体管(MP3)、误差放大器(AE)、复制放大器(AD)、NMOS晶体管(MN1)、参考电流源(IREF)、复制电阻(RF_D)、参考电阻(RFEF)、滤波电阻(RFILT)和滤波电容(CFILT);第一PMOS晶体管(MP1)的源极、第二PMOS晶体管(MP2)的源极和第三PMOS晶体管(MP3)的源极都连接电源VDD!;第一PMOS晶体管(MP1)的栅极、第二PMOS晶体管(MP2)的栅极和第三PMOS晶体管(MP3)的栅极连接在一起,且都与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接;第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接参考电流源(IREF)的正端,参考电流源(IREF)的负端连接地线GND!;第二PMOS晶体管(MP2)的漏极同时连接误差放大器(AE)的反相输入端和参考电阻(RFEF)的一端;参考电阻(RFEF)的另一端连接复制放大器(AD)的输出端;第三PMOS晶体管(MP3)的漏极同时连接误差放大器(AE)的同相输入端和NMOS晶体管(MN1)的漏极,NMOS晶体管(MN1)的栅极连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,NMOS晶体管(MN1)的源极连接复制放大器(AD)的输出端;误差放大器(AE)的输出端连接滤波电阻(RFILT)的一端,滤波电阻(RFILT)的另一端连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,滤波电阻(RFILT)的另一端还与滤波电容(CFILT)的一端相连,滤波电容(CFILT)的另一端接地线GND!;复制放大器(AD)的输入端和输出端之间并联复制电阻(RF_D)。
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