[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201110453521.9 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187507A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张超雄;林厚德 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片及封装层。在所述封装层内对应所述发光二极管芯片的正向出光路径上设置偏转部。该偏转部具有与所述封装层相接的入光面。该偏转部的折射率小于封装层的折射率，使得发光二极管芯片发出的部分光线在所述入光面处发生全反射，而射向偏转部周围的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片及封装层，其特征在于，在所述封装层内对应所述发光二极管芯片的正向出光路径上设置偏转部，该偏转部具有与所述封装层相接的入光面，该偏转部的折射率小于封装层的折射率，使得发光二极管芯片发出的部分光线在所述入光面处发生全反射，而射向偏转部周围的区域。
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