[发明专利]大应力碳化硅晶体的初加工方法有效
| 申请号： | 201110453604.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102514110A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 碳化硅 晶体 初加工 方法 | ||
【主权项】：
一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，其特征在于，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序； 将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。
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