[发明专利]场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110454057.5 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187284A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一开口；在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构；在所述形成有第一多鳍结构的第一开口中，填充有机物材料；在所述有机物材料上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分第一多鳍结构，形成第二多鳍结构。本发明通过对具有相同线路/空间(line/space)架构的多鳍结构进行调整，使得能够根据工艺需要，获得合适的鳍部之间间距(pitch)尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一开口；在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构；在所述形成有第一多鳍结构的第一开口中，填充有机物材料；在所述有机物材料上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分第一多鳍结构，形成第二多鳍结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
