[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110454092.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187286A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；沉积氧化层和硬掩膜层；选择性刻蚀所述硬掩膜层和氧化层，露出半导体衬底；形成半导体单晶材料层，所述半导体单晶材料层高过所述硬掩膜层；在所述半导体单晶材料层上进行化学机械研磨至露出所述硬掩膜层；除去所述硬掩膜层，保留所述半导体单晶材料层。本发明的方法能够方便的在体硅衬底上形成统一高度的鳍，与现有的半导体硅工艺制程完全融合，且其形成的鳍不受现有刻蚀工艺的局限。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沉积氧化层和硬掩膜层；选择性刻蚀所述硬掩膜层和氧化层，露出半导体衬底；形成半导体单晶材料层，所述半导体单晶材料层高过所述硬掩膜层；在所述半导体单晶材料层上进行化学机械研磨至露出所述硬掩膜层；除去所述硬掩膜层，保留所述半导体单晶材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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