[发明专利]半导体互连结构及形成方法有效
| 申请号： | 201110454104.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187395A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体互连结构及形成方法，所述半导体互连结构包括：金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸。当半导体互连结构从较高的制造工艺温度降低到室温时，所述导电插塞到第一金属突出部的端点对应的部分第一金属突出部和所述导电插塞到金属层边缘对应的部分第一金属突出部都会发生收缩，产生的应力相互抵消，使得导电插塞和金属突出部的位置不会发生相对错位，所述导电插塞和金属突出部相接触的位置不会产生空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体互连结构，其特征在于，包括：金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸。
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