[发明专利]图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器无效
申请号: | 201110454520.6 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102569320A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 田犁;汪辉;陈杰;方娜 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器。所述图像传感器的感光区域包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管,所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置,入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射,经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光,所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部,能够提高所述光电二极管的光俘获效率。本发明的优点在于,入射光能够横向入射,提高入射光吸收区域的深度,从而有效提高了图像传感器的光敏感度和量子效率;并且感光区域中光电二极管上方可以进行金属层布线而不会影响入射光的光路。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 感光 区域 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器的感光区域,其特征在于,包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管,所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置,入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射,经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光,所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部,能够提高所述光电二极管的光俘获效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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