[发明专利]图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器无效

专利信息
申请号: 201110454520.6 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102569320A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 田犁;汪辉;陈杰;方娜 申请(专利权)人: 上海中科高等研究院
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 孙佳胤;翟羽
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器。所述图像传感器的感光区域包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管,所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置,入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射,经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光,所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部,能够提高所述光电二极管的光俘获效率。本发明的优点在于,入射光能够横向入射,提高入射光吸收区域的深度,从而有效提高了图像传感器的光敏感度和量子效率;并且感光区域中光电二极管上方可以进行金属层布线而不会影响入射光的光路。
搜索关键词: 图像传感器 感光 区域 以及 制造 方法
【主权项】:
一种图像传感器的感光区域,其特征在于,包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管,所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置,入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射,经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光,所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部,能够提高所述光电二极管的光俘获效率。
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