[发明专利]溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110455404.6 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102534502A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吉川博树;稻月判臣;金子英雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 形成 用硅靶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射膜形成用硅靶，其中硅靶材通过结合材料而附着至金属背衬板，其中所述硅靶材由导电类型为n型的硅制成，并且在所述硅靶材于所述结合材料侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材小的材料制成的导电层。
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