[发明专利]具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110457697.1 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103187362A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 符雅丽;张海洋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法,通过在层间介质层中形成牺牲层,并利用刻蚀或热分解的方法去除部分或全部牺牲层,从而在双镶嵌大马士革结构器件中形成空气间隙;通过形成能够在后续工艺中热分解去除的牺牲结构以定义金属连线层的位置和尺寸,所述牺牲结构去除后形成沟槽,形成工艺简单易实现,且避免了刻蚀工艺对层间介质层的刻蚀损伤引起的介电常数值升高的问题;通过在该牺牲结构旁和第一层间介质层上形成支撑层,从而形成的空气间隙是半填充的,能够保持空气间隙的尺寸并维持层间介质层的机械稳定性,因此,形成的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的层间介质层的介电常数较低、且器件的机械稳定性好。
搜索关键词: 具有 空气 间隙 镶嵌 大马士革 结构 器件 制作方法
【主权项】:
一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有第一层间介质层和至少一个牺牲结构,所述牺牲结构的材质为能够热分解的聚合物;在所述牺牲结构两侧及第一层间介质层上依次形成支撑层和牺牲层;刻蚀所述牺牲结构和第一层间介质层,以在所述牺牲结构及第一层间介质层中形成通孔;进行热分解,去除剩余的牺牲结构,形成凹槽;在所述通孔和凹槽中形成金属通孔插塞和金属连线层;刻蚀所述牺牲层,形成间隙;形成第二层间介质层,在所述间隙中形成空气间隙。
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