[发明专利]具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法有效
申请号: | 201110457697.1 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187362A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 符雅丽;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构的制作方法,通过在层间介质层中形成牺牲层,并利用刻蚀或热分解的方法去除部分或全部牺牲层,从而在双镶嵌大马士革结构器件中形成空气间隙;通过形成能够在后续工艺中热分解去除的牺牲结构以定义金属连线层的位置和尺寸,所述牺牲结构去除后形成沟槽,形成工艺简单易实现,且避免了刻蚀工艺对层间介质层的刻蚀损伤引起的介电常数值升高的问题;通过在该牺牲结构旁和第一层间介质层上形成支撑层,从而形成的空气间隙是半填充的,能够保持空气间隙的尺寸并维持层间介质层的机械稳定性,因此,形成的具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的层间介质层的介电常数较低、且器件的机械稳定性好。 | ||
搜索关键词: | 具有 空气 间隙 镶嵌 大马士革 结构 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种具有空气间隙的双镶嵌大马士革结构器件的制作方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有第一层间介质层和至少一个牺牲结构,所述牺牲结构的材质为能够热分解的聚合物;在所述牺牲结构两侧及第一层间介质层上依次形成支撑层和牺牲层;刻蚀所述牺牲结构和第一层间介质层,以在所述牺牲结构及第一层间介质层中形成通孔;进行热分解,去除剩余的牺牲结构,形成凹槽;在所述通孔和凹槽中形成金属通孔插塞和金属连线层;刻蚀所述牺牲层,形成间隙;形成第二层间介质层,在所述间隙中形成空气间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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